背散射電子樣品受激發(fā)出射的主要信號(hào)-華普通用

樣品受激發(fā)出射的主要信號(hào)

背散射電子(Backscattered electron，簡稱BSE)以實(shí)驗(yàn)為例：用已知量的束流入射到正偏置的樣品中，僅約70%的電子能量消耗在作用區(qū)內(nèi)，其余30%的電子從樣品中背散射出來，這是背散射電子。起因是由于部分入射電子受到樣品原子核在任意方向上的彈性散射，而能量變化不大。其中某些電子可能僅受到單次（或有限的幾次）大角散射，即刻反轉(zhuǎn)過來，離開樣品，基本保持入射電子能量，通常稱其為彈性背散射電子。還有些電子在樣品中損失了不同程度的能量，經(jīng)過多次（幾十次甚至幾百次）各種非彈性散射事件，能量損失越來越多，其方向也明顯改變，當(dāng)最終散射過程接近表面附近時(shí)，若總的散射角9>90°時(shí)，就從表面射出來，這些稱為非彈性背散射電子。

束電子一般要穿入樣品的某個(gè)深度后才能經(jīng)受充分的散射過程，使其穿行方向反轉(zhuǎn)和引起背散射，因此從樣品出射的背散射電子帶有樣品某個(gè)深度范圍內(nèi)的性質(zhì)信息，其取樣深度很大程度上依賴樣品本身的性質(zhì)，無法用單一數(shù)字給出這個(gè)深度值，通過計(jì)算認(rèn)為背散射電子的取樣深度范圍在1/3的作用區(qū)內(nèi)攜帶該區(qū)域內(nèi)的形貌和成分信息。